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傳感器芯體介紹
  • 發(fā)布日期:2024-08-01      瀏覽次數(shù):1335
    •   壓阻式傳感器歷史
       
        1954年,史密斯(C.S.Smith)發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng),即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),其電阻將明顯發(fā)生變化。
       
        1960-1970年,硅擴(kuò)散技術(shù)快速發(fā)展,技術(shù)人員在硅晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱(chēng)為硅杯。
       
        1970-1980年,硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)
       
        隨著技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在可以通過(guò)微機(jī)械加工工藝制作由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器,其線(xiàn)度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜,使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。
       
        壓阻式傳感器原理
       
        圖是基本的惠斯通電橋,圖中電橋輸出Vo是Vo+和Vo-之間的差分電壓。使用傳感器時(shí),隨著壓力的變化,根據(jù)壓阻效應(yīng),一個(gè)或多個(gè)電阻的阻值會(huì)發(fā)生改變。阻值的改變會(huì)引起輸出電壓的變化。
       
      激勵(lì)電源一般為 恒流源或者恒壓源
       
        上海朝輝擁有25年傳感器核心技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn),為中國(guó)、美國(guó)、中東、意大利等國(guó)家的傳感器提供差壓芯體、擴(kuò)散硅芯體、微熔芯體等核心部件,并與客戶(hù)共同分享行業(yè)應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù),在技術(shù)與價(jià)格上具備較高競(jìng)爭(zhēng)力。
       
      01
       
        單晶硅芯體:
       
        熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的均勻性,單晶硅在力學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能上表現(xiàn)優(yōu)越。zhyq單晶硅壓力芯體具有精度高、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)
       
      02
       
        擴(kuò)散硅芯體:
       
        傳統(tǒng)的的硅半導(dǎo)體材質(zhì),在多晶硅上使用微機(jī)械加工技術(shù)雕刻而成。技術(shù)成熟,工藝穩(wěn)定,在精度上無(wú)法無(wú)單晶硅媲美,但是在成本、通用性、以及性?xún)r(jià)比上具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
       
      03
       
        玻璃微熔芯體:
       
        美國(guó)加州理工學(xué)院在1965年研發(fā)的新型技術(shù),腔體背面由高溫玻璃粉燒結(jié)17-4PH低碳鋼,腔體由17-4PH不銹鋼翻出,適用于高壓過(guò)載,能有效抵抗瞬間壓力沖擊。含有少量雜質(zhì)的流體介質(zhì),無(wú)需充油和隔離膜片即可測(cè)量;不銹鋼結(jié)構(gòu),無(wú)“O”型密封圈,無(wú)溫度釋放隱患。它可以在高壓下測(cè)量600MPa(6000bar),最高精度為0.075%。
       
        但是玻璃微熔傳感器小量程的測(cè)量比較困難,一般測(cè)量范圍在500kPa以上。
       
        基于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的壓力傳感器是由微/納惠斯通電橋制成的硅應(yīng)變計(jì)。具有輸出靈敏度高、性能穩(wěn)定、批量可靠、重復(fù)性好的優(yōu)點(diǎn)。
       
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